Wafer Level Burn-In Test System
WLBI3810 晶圓級 Burn-In 測試系統為專為 Silicon Carbide（SiC）與 Gallium Nitride（GaN）晶圓打造的高階 Burn-In 測試設備，具備高效率與高精度測試能力。
系統可同時對 9 片晶圓執行 High-Temperature Gate Bias（HTGB）與 High-Temperature Reverse Bias（HTRB）Burn-In 測試，測試時間可從數分鐘延伸至數千小時，能彈性滿足不同產品的 Burn-In 測試需求。
WLBI3810 採用全自動上下料系統，並整合三 Cassette 設計，支援測試模式無縫切換與 Burn-In 條件自動調整，可有效提升整體測試效率與連續作業能力。
系統可對每顆 Die 執行高精度 Threshold Voltage（Vth）量測，確保測試數據準確性。每個測試通道皆具備獨立過電流保護功能，可有效保障待測元件安全。
此外，系統可產生詳細 MAP Data，提供完整效能分析與品質控管依據。無論是量產環境中的穩定 Burn-In 測試，或研發階段的彈性配置需求，WLBI3810 均可提供可靠的測試解決方案。
特色
自動上下料系統
全自動 Wafer 搬運機制可大幅降低人工介入，提升測試效率與準確性。
高精度 Probe 定位
提供 ±25 μm Probe Mark Repositioning Accuracy，確保測試穩定性與可靠性。
完整系統功能
支援 MAP Data Binding 與追溯管理，並可同時測試最多 2,560 顆 Die。
多模式 Burn-In
可自動切換 HTGB 與 HTRB 測試模式。
漏電流監控
支援 Igss 與 Idss Leakage Current 即時監測。
整合式測試功能
內建 Vth 參數測試功能，可進行更完整的元件分析。
高精度量測能力
量測解析度最高可達 0.1 nA，Leakage Current 量測精度最高可達 0.5 nA。
精密溫控能力
於 TR～175℃ 範圍內可達 ±2℃ 溫度均勻度，控制精度可達 1℃，溫度解析度為 0.1℃。
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